-
1 плотноупакованные грани
Makarov: close-packed facesУниверсальный русско-английский словарь > плотноупакованные грани
-
2 плотноупакованные грани
Русско-английский физический словарь > плотноупакованные грани
-
3 грани плотноупакованные
грани плотноупакованныегранi шчыльнаўпакаваныяРусско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов > грани плотноупакованные
-
4 грани
Русско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов > грани
-
5 close-packed faces
-
6 грань
ж.1) крист. face, facet2) мат. bound•- боковая граньграни кристалла расположены под определёнными углами друг к другу — crystal faces are inclined to each other at characteristic angles
- верхняя грань
- вицинальная грань
- внешняя грань
- грань базиса
- грань клина
- грань кристалла
- грань куба
- грань кубического кристалла
- грань лазерного диода
- грань многогранника
- грань призмы
- грань резонатора
- грань скола
- дипирамидальная грань
- единичная грань
- заряженная грань
- неполярная грань
- нижняя грань
- параллельные грани
- пинакоидальная грань
- плоская грань
- плотноупакованные грани
- полярная грань
- противолежащие грани
- сингулярная грань
- сколотая грань
- торцевая грань -
7 close-packed faces
Макаров: плотноупакованные грани
См. также в других словарях:
КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — образование кристаллов из паров, р ров, расплавов, из в ва в тв. состоянии (аморфном или другом кристаллическом), из электролитов в процессе электролиза (электрокристаллизация), а также при хим. реакциях. Для К. необходимо нарушение термодинамич … Физическая энциклопедия
Эпитаксия — (от Эпи... и греч. táxis расположение, порядок) ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию) … Большая советская энциклопедия
ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… … Физическая энциклопедия
ЭПИТАКСИЯ — (от эпи... и греч. taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на пов сти другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они… … Химическая энциклопедия
